Cas 409-21-2 Augstas tīrības silīcija karbīda pulveris nano SiC nanopulveris un nanodaļiņas

Silīcija karbīds (SiC), pazīstams arī kā karborunds, ir silīcija un oglekļa savienojums ar ķīmisko formulu SiC.Dabā tas sastopams kā ārkārtīgi rets minerāls moissanīts.Sintētiskais silīcija karbīda pulveris tiek masveidā ražots kopš 1893. gada, lai to izmantotu kā abrazīvu.Silīcija karbīda graudus var savienot kopā ar saķepināšanu, veidojot ļoti cietu keramiku, ko plaši izmanto lietojumos, kuriem nepieciešama augsta izturība, piemēram, automašīnu bremzēs, automašīnu sajūgos un keramikas plāksnēs ložu necaurlaidīgās vestēs.Silīcija karbīda elektroniskās pielietojums, piemēram, gaismas diodes (LED) un detektori agrīnajos radio, pirmo reizi tika demonstrēti ap 1907. gadu. SiC tiek izmantots pusvadītāju elektronikas ierīcēs, kas darbojas augstā temperatūrā vai augstā spriegumā, vai abos.Lielus silīcija karbīda monokristālus var audzēt ar Lely metodi;tos var sagriezt dārgakmeņos, kas pazīstami kā sintētiskais moisanīts.Silīcija karbīdu ar lielu virsmas laukumu var ražot no SiO2, kas atrodas augu materiālā.